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    检测分析设备

    Detection and analysis equipment

    半导体参数测试仪、探针台

    设备型号:B1505A、TS2000-HP

    设备厂商:Keysight、MPI

    设备介绍:

           B1505A 是一个功能强大的测量和表征工具,能评估所有类型的功率器件,其优异的性能包括宽电压和电流范围,快脉冲能力(10μs),μΩ级导通电阻测量分辨率,以及亚pA级电流测量能力,可提供高效的功率器件测量解决方案。此外,它能在高电压偏置下进行电容测量,示波器观察功能还可对脉冲波形进行视觉验证。

    主要特点:

          – 进行宽范围的电流/电压测量: 达1500A/10kV

          – 精确的泄漏电流测量(亚pA能力)

          – 精密的导通电阻表征(?Ω分辨率)

          – 快至10?s的大功率脉冲测量

          – 高电压偏置下的中电流测量能力: 500mA @ 1200V

          – 进行高电压偏置的CV测量

          – 最大直流偏置±3000V

          – 高功率圆片探测支持,在圆片上进行>200A和10kV的测试

          – 真旋钮扫描曲线追踪仪功能

          – 支持输出波形监视的示波器观察(I/V)功能

          – 易于使用的EasyEXPERT测试环境可全自动测量和数据分析

          – 可溯源至国际标准的大电流∕电压测量

          – 可扩展的平台和体系结构,能随需求变化添加测量能力

          – 提供 4 种测试模式: 曲线测试模式、应用测试模式、传统测试模式和快速测试模式。可以为用户不同的器件测试选择,以最大程度地提高测量灵活性。

         – 模块化配置,有10个用于支持模块的插槽

         – 多频电容测量单元(MFCMU),频率范围1kHz至1MHz

         – 多种适用SMU类型:HPSMU, MPSMU,MCSMU,HCSMU,HVSMU和UCSMU

         – 适用于封装测试和晶圆测试的标准附件:测试夹块选择器具,模和高压偏置三通

    应用领域:

           SiC/GaN半导体封装器件和晶圆上器件(如下)的参数测试,进行器件的评估及失效分析。

           – SiC/GaN器件

           – IGBT

           – 功率 MOSFET

           – 双极晶体管

           – 晶闸管

           – 电源管理 IC

           – 高压二极管

    代表性测试结果:

           1. MOSFET三极管击穿电压


           2. MOSFET 三极管阈值电压


            3. MOSFET 三极管Crss电容


            4. MOSFET 三极管输出和转移特性