• 比特币交易平台排名

    欢迎来到广东省半导体产业技术研究院网站!
    帐号密码

      会员注册

    外延设备

    Epitaxial equipment

    HT-MOCVD


           我院采用的HT-MOCVD设备是德国爱思强(Aixtron)公司生产的CCS 3×2" FT MOCVD系统,是国内第一台实验型超高温MOCVD系统,托盘表面温度可达1450℃,可以进行超高温下高质量AlN系氮化物外延材料生长。该设备采用垂直式近耦合喷淋反应室,喷淋头与托盘间距可调,同时喷孔密度高,气流均匀,基座采用三组电阻加热,温度均匀性好。
            本设备的主要技术参数:
            1、  外延尺寸:3片2英寸或1片4英寸;
            2、  生长温度控制范围:400~1450℃;
            3、  反应室压力控制范围:20~1000mbar;
            4、  源气配置:4路气体(H2、N2、NH3、SiH4)、9路MO源(2路TMGa、2路TMAl、TEGa、TMIn、2路Cp2Mg、1路spare)
            5、  基本材料指标
    U-doped GaN
    生长速率
    ≥2um/h
    厚度均匀度
    <1.5%
    外延C、O杂质含量
    <1E17cm-3
    AlGaN(Al组分50%、70%、90%)
    生长速率
    >1um/h
    厚度均匀性
    <2%
    XRD 002/102
    350/600arcsec
    n-AlGaN(Al组分70%、
    厚度0.5um)
    Si掺杂
    >1E19cm-3
    载流子浓度
    >2E17cm-3
    XRD 002/102
    350/600arcsec
    AlN
    生长速率
    >2um/h
    厚度均匀性
    <2%
    外延C、O杂质含量
    <1E18cm-3
    XRD 002/102
    400/1000arcsec
    表面粗糙度
    <2nm