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    芯片设备

    Chip equipment

    磁控溅射台

    设备名称:磁控溅射台

    设备厂商:美国科特


    工作原理:高能粒子撞击具有高纯度的靶材固定平板,通过物理过程轰击出原子,这些被撞击出的原子穿过真空,最后淀积在样品表面。

    用途:溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金属薄膜,AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。



    技术指标:

    1. 样品尺寸:5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸

    2. 基板加热温度: 室温-350℃可调,控温精度1℃

    3.配备四台溅射靶枪,其中一个靶枪支持强磁性材料

    4. 300W射频电源,2kW 直流脉冲电源,带有等离子清洗功能

    5. 蒸发均匀性:2英寸范围内<±3% ;6英寸范围内±5%


    工艺特点:

    1. 具有淀积并保持复杂合金原组分的能力;

    2. 材料适用范围广,几乎所有固体材料均可适用,特别是能够淀积高温融化和难熔金属;

    3. 溅射工艺的可控性和重复性好;

    4. 使用磁控溅射沉积金属薄膜,其致密度、颗粒度、表面粗糙度以及衬底结合力均好于真空蒸发沉积薄膜;

    5. 支持一个工艺中顺序溅射三种金属材料;顺序溅射两种金属和一种氧化物及化合物材料;共溅射两种金属材料;反应溅射。






    磁控溅射Ti,粗糙度3.06nm



    磁控溅射SiO2,粗糙度0.841nm



    可以精确控制ZnO的晶型结构